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最新消息| 升級到22nmIntel新晶圓廠破例參觀(多圖) | 2022-04-26 |
| 文章来源：由「百度新聞」平台非商業用途取用"http://server.51cto.com/art/200709/230686.htm" Intel公司今天宣布，將在美國境內投資60到80億美元，升級半導體制造技術，并在俄勒岡州興建一座新的晶圓廠。根據該計劃，Intel將在美國俄勒岡州建立名為FabD1X的新晶圓廠，預計該廠將于2013年投入研發工作，具體投產日期還未確定。同時，Intel位于美國亞利桑那州的Fab12、Fab32，以及位于俄勒岡州的FabD1C和FabD1D也將借助這筆投資，升級到22nm制程工藝。預計該項投資將能夠制造6000到8000個建筑工業崗位，并在完成后再制造800到1000個永久性高技術工作崗位。Intel表示，目前公司制造處理器的速度相當于每秒鐘100億個晶體管。但相比PC行業今年達到的每天100萬臺的銷售速度，其產能仍然無法滿足需求，因此需要進一步的投資來升級技術，擴充產能。據稱，新的FabD1X未來將有能力升級制造450mm晶圓，相比目前最大的300mm晶圓進一步提高產量降低成本。不過，該升級計劃目前還沒有具體時間表。根據Intel的Tick-Tock技術升級路線圖，下一個Tick將是代號為IvyBridge的22nm工藝產品。預計該系列處理器將于2011年下半年投產，2012年初零售上市，此次四座工廠的制程升級很可能就是為這次換代做準備。FabD1X設計圖，位于美國俄勒岡州Hillsboro，IntelRonlerAcres園區FabD1C，位于美國俄勒岡州HillsboroFabD1D，位于美國俄勒岡州HillsboroFab32，位于美國亞利桑那州ChandlerIntel、美光合資閃存制造企業IMFlashTechnologies,LLC(IMFT)宣布已經開始試制25bn工藝NAND閃存芯片。除了紙面宣布外，他們實際上還邀請了多家媒體到IMFT位于美國猶他州Lehi的25nm工藝晶圓廠進行參觀。位于雪山腳下的IMFT工廠工廠結構，制造半導體產品最關鍵的無塵室位于第三層，加壓吊頂形成由上向下的氣流，設備維護工作則在二層的SubFab層完成。進入無塵室之前的打包過程。（由于無塵室內部的嚴格要求，實際上以下內部照片均來自IMFT官方）晶圓廠內走廊，頂端的自動運輸系統（AMHS）正在以每小時13公里的速度將晶圓在各個制造環節間運輸，24小時不停歇。每個運載器都打在了一個FOUP（前端開口片盒），其中可裝載最多25片300mm晶圓。廠內地面全部打孔，保證空氣從上向下流通，將落塵可能減到最小。FOUP片盒掛接在一個制造階段設備上，后面的那個正在被AMHS吊起。幾乎所有制造過程均為自動完成，因此廠內大部分工人的工作就是保證這些設備正常運行。化學機械拋光（CMP）車間照明受限的光刻車間一塊光刻掩膜，光刻過程簡單的說就是將這塊掩膜上圖案縮印到晶圓上。光刻過程中的校準實時缺陷監測（RDA）FOUP片盒中的300mm晶圓PCper記者手持一片25nm工藝300mm晶圓，總容量超過2TB。 關鍵字標籤：輕隔間 |
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